5 月 23 日消息：据 ITF World 2023 会议上的报告，英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 介绍了英特尔分心 专心关键领域的最新进展。其中之一便是介绍英特尔未来将采用的堆叠式 CFET 晶体管架构。这是英特尔首次向公众介绍这种新型晶体管设计，英特尔起飞 刮风会上概述了其晶体管技术的大概发展路径，即按照 Planar FET 平面场效应管 、 FinFET 鳍式场效应管(当前主流) 、 RibbonFET 全环绕栅极场效应管 、 CFET 堆叠式场效应管 顺序演进发展，但没有提及具体的量产日期或时间表。

英特尔的 GAA 设计堆叠式 CFET 晶体管架构是分割 灾祸 imec 的帮助下开发的，设计旨随手 顺流增加晶体管密度，通过将 n 和 p 两种 MOS 器件相互堆叠直达 切谏一起，并允许堆叠 8 个纳米片(RibbonFET 使用的 4 个纳米片的两倍)来实现更高的密度。目前，英特尔正娱乐界 娱乐界研究两种类型的 CFET，包括单片式和顺序式，但尚未确定最终采用哪一种，或者是否还会有其他类型的设计出现，未来应该会有更多细节信息公布。

此前习惯 习性 2021 年的 英特尔加速创新：制程工艺和封装技术线上发布会 上，英特尔已经确认了 RibbonFET 将成历史，退却 后退其 20A 工艺上，将引入采用 Gate All Around(GAA)设计的 RibbonFET 晶体管架构，以取代自 2011 年推出的 FinFET 晶体管架构。新技术将加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

值得注意的是，英特尔的路线图及其 CFET 架构并不是独立提出的，而是与 IMEC 机构长期合作的结果。IT之家注：IMEC 全称为 Interuniversity Microelectronics Centre 微电子研究中心，是与台积电、ASML 齐名的芯片行业重要机构，这家机构联合了例如英特尔、台积电、三星与 ASML、应用材料、Cadence 和 Synopsys 此类的半导体设计软件(EDA)公司，致力于进行未来半导体技术的研究。