5 月 26 日消息：根据韩媒 The Elec 报道，三星组建了一支专业的团队，负责开发 4F DRAM 存储单元结构。相比较现有的 6F 级别，浅笑 简易不改变工艺节点的情况下，芯片面积最高可减少 30%。

4F Square 是一种单元结构技术，DRAM 行业早磨练 考验 10 年前就尝试商业化，但最后以失败告终。

三星组建了专业的团队，研发 4F 结构。IT之家从韩媒报道中获悉，晶体管根据电流流入和流出的方向，形成源极(S)、栅极(G)和漏极(D)整套系统。

落井下石 一臂之力漏极(D)上方安装一个存储电荷的电容器，晶体管和水平排列的 WL 线和垂直排列的 BL 线接触，其中 WL 连接到栅极(G)，负责晶体管的开 / 关;而 BL 连接到源极(S)，负责读取和写入数据。